常見硬件術(shù)語手冊(cè)

　一、CPU術(shù)語解釋
　　
　　　　3DNow!： (3D no waiting)AMD公司開發(fā)的SIMD指令集，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算的速度，它的指令數(shù)為21條。
　　
　　　　ALU： (Arithmetic Logic Unit，算術(shù)邏輯單元)在處理器之中用于計(jì)算的那一部分，與其同級(jí)的有數(shù)據(jù)傳輸單元和分支單元。
　　
　　　　BGA：(Ball Grid Array，球狀矩陣排列)一種芯片封裝形式，例：82443BX。
　　
　　　　BHT： (branch prediction table，分支預(yù)測表)處理器用于決定分支行動(dòng)方向的數(shù)值表。
　　
　　　　BPU：(Branch Processing Unit，分支處理單元)CPU中用來做分支處理的那一個(gè)區(qū)域。
　　
　　　　Brach Pediction： （分支預(yù)測）從P5時(shí)代開始的一種先進(jìn)的數(shù)據(jù)處理方法，由CPU來判斷程序分支的進(jìn)行方向，能夠更快運(yùn)算速度。
　　
　　　　CMOS： （Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）它是一類特殊的芯片，最常見的用途是主板的BIOS（Basic Input/Output　System，基本輸入/輸出系統(tǒng)）。
　　
　　　　CISC： (Complex Instruction Set Computing，復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī))相對(duì)于RISC而言，它的指令位數(shù)較長，所以稱為復(fù)雜指令。如：x86指令長度為87位。
　　
　　　　COB： (Cache on board，板上集成緩存)在處理器卡上集成的緩存，通常指的是二級(jí)緩存，例：奔騰II
　　
　　　　COD： (Cache on Die，芯片內(nèi)集成緩存)在處理器芯片內(nèi)部集成的緩存，通常指的是二級(jí)緩存，例：PGA賽揚(yáng)370
　　
　　　　CPGA： (Ceramic Pin Grid Array，陶瓷針型柵格陣列)一種芯片封裝形式。
　　
　　　　CPU： (Center Processing Unit，中央處理器)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的大腦，用于控制和管理整個(gè)機(jī)器的運(yùn)作，并執(zhí)行計(jì)算任務(wù)。
　　
　　　　Data Forwarding： （數(shù)據(jù)前送）CPU在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，把一個(gè)單元的輸出值內(nèi)容拷貝到另一個(gè)單元的輸入值中。
　　
　　　　Decode： （指令解碼）由于X86指令的長度不一致，必須用一個(gè)單元進(jìn)行“翻譯”，真正的內(nèi)核按翻譯后要求來工作。
　　
　　　　EC： (Embedded Controller，嵌入式控制器)在一組特定系統(tǒng)中，新增到固定位置，完成一定任務(wù)的控制裝置就稱為嵌入式控制器。
　　
　　　　Embedded Chips： (嵌入式)一種特殊用途的CPU，通常放在非計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，如：家用電器。
　　
　　　　EPIC： (explicitly parallel instruction code，并行指令代碼)英特爾的64位芯片架構(gòu)，本身不能執(zhí)行x86指令，但能通過譯碼器來兼容舊有的x86指令，只是運(yùn)算速度比真正的32位芯片有所下降。
　　
　　　　FADD： （Floationg Point Addition，浮點(diǎn)加）FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array，反轉(zhuǎn)芯片針腳柵格陣列)一種芯片封裝形式，例：奔騰III 370。
　　
　　　　FDIV： （Floationg Point Divide，浮點(diǎn)除）FEMMS（Fast Entry/Exit Multimedia State，快速進(jìn)入/退出多媒體狀態(tài)）　　在多能奔騰之中，MMX和浮點(diǎn)單元是不能同時(shí)運(yùn)行的。新的芯片加快了兩者之間的切換，這就是FEMMS。
　　
　　　　FFT： （fast Fourier transform，快速熱歐姆轉(zhuǎn)換）一種復(fù)雜的算法，可以測試CPU的浮點(diǎn)能力。
　　
　　　　FID： (FID：Frequency identify，頻率鑒別號(hào)碼)奔騰III通過ID號(hào)來檢查CPU頻率的方法，能夠有效防止Remark。
　　
　　　　FIFO： (First Input First Output，先入先出隊(duì)列)這是一種傳統(tǒng)的按序執(zhí)行方法，先進(jìn)入的指令先完成并引退，跟著才執(zhí)行第二條指令。
　　
　　　　FLOP： (Floating Point Operations Per Second，浮點(diǎn)*作/秒)計(jì)算CPU浮點(diǎn)能力的一個(gè)單位。
　　
　　　　FMUL： (Floationg Point Multiplication，浮點(diǎn)乘）
　　
　　　　FPU： (Float Point Unit，浮點(diǎn)運(yùn)算單元)FPU是專用于浮點(diǎn)運(yùn)算的處理器，以前的FPU是一種單獨(dú)芯片，在486之后，英特爾把FPU與集成在CPU之內(nèi)。
　　
　　　　FSUB： (Floationg Point Subtraction，浮點(diǎn)減）
　　
　　　　HL-PBGA： （表面黏著、高耐熱、輕薄型塑膠球狀矩陣封裝）一種芯片封裝形式。
　　
　　　　IA： (Intel Architecture，英特爾架構(gòu))英特爾公司開發(fā)的x86芯片結(jié)構(gòu)。
　　
　　　　ID： （identify，鑒別號(hào)碼）用于判斷不同芯片的識(shí)別代碼。
　　
　　　　IMM： （Intel Mobile Module,英特爾移動(dòng)模塊）英特爾開發(fā)用于筆記本電腦的處理器模塊，集成了CPU和其它控制設(shè)備。
　　
　　　　Instructions Cache： （指令緩存）由于系統(tǒng)主內(nèi)存的速度較慢，當(dāng)CPU讀取指令的時(shí)候，會(huì)導(dǎo)致CPU停下來等待內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)那闆r。指令緩存就是在主內(nèi)存與CPU之間增加一個(gè)快速的存儲(chǔ)區(qū)域，即使CPU未要求到指令，主內(nèi)存也會(huì)自動(dòng)把指令預(yù)先送到指令緩存，當(dāng)CPU要求到指令時(shí)，可以直接從指令緩存中讀出，無須再存取主內(nèi)存，減少了CPU的等待時(shí)間。
　　
　　　　Instruction Coloring： （指令分類）一種制造預(yù)測執(zhí)行指令的技術(shù)，一旦預(yù)測判斷被相應(yīng)的指令決定以后，處理器就會(huì)相同的指令處理同類的判斷。
　　
　　　　Instruction Issue： （指令發(fā)送）它是第一個(gè)CPU管道，用于接收內(nèi)存送到的指令，并把它發(fā)到執(zhí)行單元。IPC（Instructions Per Clock Cycle，指令/時(shí)鐘周期）表示在一個(gè)時(shí)鐘周期用可以完成的指令數(shù)目。
　　
　　　　KNI： (Katmai New Instructions，Katmai新指令集，即SSE) Latency（潛伏期）從字面上了解其含義是比較困難的，實(shí)際上，它表示完全執(zhí)行一個(gè)指令所需的時(shí)鐘周期，潛伏期越少越好。嚴(yán)格來說，潛伏期包括一個(gè)指令從接收到發(fā)送的全過程。現(xiàn)今的大多數(shù)x86指令都需要約5個(gè)時(shí)鐘周期，但這些周期之中有部分是與其它指令交迭在一起的（并行處理），因此CPU制造商宣傳的潛伏期要比實(shí)際的時(shí)間長。
　　
　　　　LDT： (Lightning Data Transport，閃電數(shù)據(jù)傳輸總線)K8采用的新型數(shù)據(jù)總線，外頻在200MHz以上。
　　
　　　　MMX： （MultiMedia Extensions，多媒體擴(kuò)展指令集）英特爾開發(fā)的最早期SIMD指令集，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算的速度。
　　
　　　　MFLOPS： (Million Floationg Point/Second，每秒百萬個(gè)浮點(diǎn)*作)計(jì)算CPU浮點(diǎn)能力的一個(gè)單位，以百萬條指令為基準(zhǔn)。
　　
　　　　NI： （Non－Intel，非英特爾架構(gòu)）
　　
　　除了英特爾之外，還有許多其它生產(chǎn)兼容x86體系的廠商，由于專利權(quán)的問題，它們的產(chǎn)品和英特爾系不一樣，但仍然能運(yùn)行x86指令。
　　
　　　　OLGA： (Organic Land Grid Array，基板柵格陣列)一種芯片封裝形式。
　　
　　　　OoO： (Out of Order，亂序執(zhí)行)Post-RISC芯片的特性之一，能夠不按照程序提供的順序完成計(jì)算任務(wù)，是一種加快處理器運(yùn)算速度的架構(gòu)。
　　
　　　　PGA： （Pin-Grid Array，引腳網(wǎng)格陣列）一種芯片封裝形式，缺點(diǎn)是耗電量大。
　　
　　　　Post-RISC： 一種新型的處理器架構(gòu)，它的內(nèi)核是RISC，而外圍是CISC，結(jié)合了兩種架構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，擁有預(yù)測執(zhí)行、處理器重命名等先進(jìn)特性，如：Athlon。
　　
　　　　PSN： (Processor Serial numbers，處理器***)標(biāo)識(shí)處理器特性的一組號(hào)碼，包括主頻、生產(chǎn)日期、生產(chǎn)編號(hào)等。
　　
　　　　PIB： （Processor In a Box，盒裝處理器）CPU廠商正式在市面上發(fā)售的產(chǎn)品，通常要比OEM（Original Equipment　Manufacturer，原始設(shè)備制造商）廠商流通到市場的散裝芯片貴，但只有PIB擁有廠商正式的保修權(quán)利。
　　
　　　　PPGA： (Plastic Pin Grid Array，塑膠針狀矩陣封裝)一種芯片封裝形式，缺點(diǎn)是耗電量大。
　　
　　　　PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方塊平面封裝)一種芯片封裝形式。
　　
　　　　RAW： (Read after Write，寫后讀)這是CPU亂序執(zhí)行造成的錯(cuò)誤，即在必要條件未成立之前，已經(jīng)先寫下結(jié)論，導(dǎo)致最終結(jié)果出錯(cuò)。
　　
　　　　Register Contention： （搶占寄存器）當(dāng)寄存器的上一個(gè)寫回任務(wù)未完成時(shí)，另一個(gè)指令征用此寄存器時(shí)出現(xiàn)的沖突。
　　
　　　　Register Pressure： （寄存器不足）軟件算法執(zhí)行時(shí)所需的寄存器數(shù)目受到限制。對(duì)于X86處理器來
　　說，寄存器不足已經(jīng)成為了它的最大特點(diǎn)，因此AMD才想在下一代芯片K8之中，增加寄存器的數(shù)量。
　　
　　　　Register Renaming： （寄存器重命名）把一個(gè)指令的輸出值重新定位到一個(gè)任意的內(nèi)部寄存器。在x86
　　架構(gòu)中，這類情況是常常出現(xiàn)的，如：一個(gè)fld或fxch或mov指令需要同一個(gè)目標(biāo)寄存器時(shí)，就要?jiǎng)佑玫郊拇嫫髦孛?
　　
　　　　Remark： （芯片頻率重標(biāo)識(shí)）芯片制造商為了方便自己的產(chǎn)品定級(jí)，把大部分CPU都設(shè)置為可以自由調(diào)節(jié)倍頻和外頻，它在同一批CPU中選出好的定為較高的一級(jí)，性能不足的定位較低的一級(jí)，這些都在工廠內(nèi)部完成，是合法的頻率定位方法。但出廠以后，經(jīng)銷商把低檔的CPU超頻后，貼上新的標(biāo)簽，當(dāng)成高檔CPU賣的非法頻率定位則稱為Remark。因?yàn)樯a(chǎn)商有權(quán)力改變自己的產(chǎn)品，而經(jīng)銷商這樣做就是侵犯版權(quán)，不要以為只有軟件才有版權(quán)，硬件也有版權(quán)呢。
　　
　　　　Resource contention： （資源沖突）當(dāng)一個(gè)指令需要寄存器或管道時(shí)，它們被其它指令所用，處理器不能即時(shí)作出回應(yīng)，這就是資源沖突。
　　
　　　　Retirement： （指令引退）當(dāng)處理器執(zhí)行過一條指令后，自動(dòng)把它從調(diào)度進(jìn)程中去掉。如果
　　僅是指令完成，但仍留在調(diào)度進(jìn)程中，亦不算是指令引退。
　　
　　　　RISC： (Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計(jì)算機(jī))一種指令長度較短的計(jì)算機(jī)，其運(yùn)行速度比CISC要快。
　　
　　　　SEC： （Single Edge Connector，單邊連接器）一種處理器的模塊，如：奔騰II。
　　
　　　　SIMD： (Single Instruction Multiple Data，單指令多數(shù)據(jù)流)能夠復(fù)制多個(gè)*作，并把它們打包在大型寄存器的一組指令集，例：3DNow!、SSE。
　　
　　　　SiO2F： (Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅)制造電子元件才需要用到的材料。
　　
　　　　SOI： （Silicon on insulator，絕緣體硅片）SONC(System on a chip,系統(tǒng)集成芯片)在一個(gè)處理器中集成多種功能，如：Cyrix MediaGX。
　　
　　　　SPEC： (System Performance Evaluation Corporation，系統(tǒng)性能評(píng)估測試)測試系統(tǒng)總體性能的Benchmark。
　　
　　　　Speculative execution： （預(yù)測執(zhí)行）一個(gè)用于執(zhí)行未明指令流的區(qū)域。當(dāng)分支指令發(fā)出之后，傳統(tǒng)處理器在未收到正確的反饋信息之前，是不能做任何工作的，而具有預(yù)測執(zhí)行能力的新型處理器，可以估計(jì)即將執(zhí)行的指令，采用預(yù)先計(jì)算的方法來加快整個(gè)處理過程。
　　
　　　　SQRT： （Square Root Calculations，平方根計(jì)算）一種復(fù)雜的運(yùn)算，可以考驗(yàn)CPU的浮點(diǎn)能力。
　　
　　　　SSE： (Streaming SIMD Extensions，單一指令多數(shù)據(jù)流擴(kuò)展)英特爾開發(fā)的第二代SIMD指令集，有70條指令，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算的速度。
　　
　　　　Superscalar： （超標(biāo)量體系結(jié)構(gòu)）在同一時(shí)鐘周期可以執(zhí)行多條指令流的處理器架構(gòu)。
　　
　　　　TCP： （Tape Carrier Package，薄膜封裝）一種芯片封裝形式，特點(diǎn)是發(fā)熱小。
　　
　　　　Throughput： （吞吐量）它包括兩種含義：
　　
　　　　　　第一種：執(zhí)行一條指令所需的最少時(shí)鐘周期數(shù)，越少越好。執(zhí)行的速度越快，下一條指令和它搶占資源的機(jī)率也越少。
　　
　　　　　　第二種：在一定時(shí)間內(nèi)可以執(zhí)行最多指令數(shù)，當(dāng)然是越大越好。
　　
　　　　TLBs： (Translate Look side Buffers，翻譯旁視緩沖器)用于存儲(chǔ)指令和輸入/輸出數(shù)值的區(qū)域。
　　
　　　　VALU： (Vector Arithmetic Logic Unit，向量算術(shù)邏輯單元)在處理器中用于向量運(yùn)算的部分。
　　
　　　　VLIW： (Very Long Instruction Word，超長指令字)一種非常長的指令組合，它把許多條指令連在一起，增加了運(yùn)算的速度。
　　
　　　　VPU： (Vector Permutate Unit，向量排列單元）在處理器中用于排列數(shù)據(jù)的部分。

二、硬盤術(shù)語解釋
　　　硬盤的轉(zhuǎn)速(Rotationl Speed)： 也就是硬盤電機(jī)主軸的轉(zhuǎn)速，轉(zhuǎn)速是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，它的快慢在很大程度上影響了硬盤的速度，同時(shí)轉(zhuǎn)速的快慢也是區(qū)分硬盤檔次的重要標(biāo)志之一。硬盤的主軸馬達(dá)帶動(dòng)盤片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。要將所要存取資料的扇區(qū)帶到磁頭下方，轉(zhuǎn)速越快，等待時(shí)間也就越短。因此轉(zhuǎn)速在很大程度上決定了硬盤的速度。目前市場上常見的硬盤轉(zhuǎn)速一般有5400rpm、7200rpm、甚至10000rpm。理論上，轉(zhuǎn)速越快越好。因?yàn)檩^高的轉(zhuǎn)速可縮短硬盤的平均尋道時(shí)間和實(shí)際讀寫時(shí)間?？墒寝D(zhuǎn)速越快發(fā)熱量越大，不利于散熱?，F(xiàn)在的主流硬盤轉(zhuǎn)速一般為7200rpm以上。
　　
　　　　隨著硬盤容量的不斷增大，硬盤的轉(zhuǎn)速也在不斷提高。然而，轉(zhuǎn)速的提高也帶來了磨損加劇、溫度升高、噪聲增大等一系列負(fù)面影響。于是，應(yīng)用在精密機(jī)械工業(yè)上的液態(tài)軸承馬達(dá)（Fluid dynamic bearing motors）便被引入到硬盤技術(shù)中。液態(tài)軸承馬達(dá)使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠。這樣可以避免金屬面的直接磨擦，將噪聲及溫度被減至最低；同時(shí)油膜可有效吸收震動(dòng)，使抗震能力得到提高；更可減少磨損，提高壽命。
　　
　　　　平均尋道時(shí)間（Average seek time）：指硬盤在盤面上移動(dòng)讀寫頭至指定磁道尋找相應(yīng)目標(biāo)數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，它描述硬盤讀取數(shù)據(jù)的能力，單位為毫秒。當(dāng)單碟片容量增大時(shí)，磁頭的尋道動(dòng)作和移動(dòng)距離減少，從而使平均尋道時(shí)間減少，加快硬盤速度。目前市場上主流硬盤的平均尋道時(shí)間一般在9ms以下，大于10ms的硬盤屬于較早的產(chǎn)品，一般不值得購買。
　　
　　　　平均潛伏時(shí)間（Average latency　time）： 指當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后，然后等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)到磁頭下的時(shí)間，一般在2ms－6ms之間。
　　
　　　　平均訪問時(shí)間（Average access time）： 指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間，通常是平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和。平均訪問時(shí)間最能夠代表硬盤找到某一數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，越短的平均訪問時(shí)間越好，一般在11ms－18ms之間。注意：現(xiàn)在不少硬盤廣告之中所說的平均訪問時(shí)間大部分都是用平均尋道時(shí)間所代替的。
　　
　　　 突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率（Burst data transfer rate）：指的是電腦通過數(shù)據(jù)總線從硬盤內(nèi)部緩存區(qū)中所讀取數(shù)據(jù)的最高速率。也叫外部數(shù)據(jù)傳輸率（External data transfer rate）。目前采用UDMA/66技術(shù)的硬盤的外部傳輸率已經(jīng)達(dá)到了66.6MB/s。
　　
　　　　最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率（Internal data transfer rate）： 指磁頭至硬盤緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤的盤片轉(zhuǎn)速和盤片數(shù)據(jù)線密度（指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度）。也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率（sustained transfer rate）。一般采用UDMA/66技術(shù)的硬盤的內(nèi)部傳輸率也不過25-30MB/s，只有極少數(shù)產(chǎn)品超過30MB/s，由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率才是系統(tǒng)真正的瓶頸，因此大家在購買時(shí)要分清這兩個(gè)概念。不過一般來講，硬盤的轉(zhuǎn)速相同時(shí)，單碟容量大的內(nèi)部傳輸率高；在單碟容量相同時(shí)，轉(zhuǎn)速高的硬盤的內(nèi)部傳輸率高。
　　
　　　　自動(dòng)檢測分析及報(bào)告技術(shù)（Self-Monitoring Analysis and Report Technology，簡稱S.M.A.R.T）： 現(xiàn)在出廠的硬盤基本上都支持S.M.A.R.T技術(shù)。這種技術(shù)可以對(duì)硬盤的磁頭單元、盤片電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、硬盤內(nèi)部電路以及盤片表面媒介材料等進(jìn)行監(jiān)測，當(dāng)S.M.A.R.T監(jiān)測并分析出硬盤可能出現(xiàn)問題時(shí)會(huì)及時(shí)向用戶報(bào)警以避免電腦數(shù)據(jù)受到損失。S.M.A.R.T技術(shù)必須在主板支持的前提下才能發(fā)生作用，而且S.M.A.R.T技術(shù)也不能保證能預(yù)報(bào)出所有可能發(fā)生的硬盤故障。
　　
　　　　磁阻磁頭技術(shù)MR(Magneto－Resistive Head)： MR(MAGNETO-RESITIVEHEAD)即磁阻磁頭的簡稱。MR技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。目前的MR技術(shù)已有幾代產(chǎn)品。MAXTOR的鉆石三代/四代等均采用了最新的MR技術(shù)。磁阻磁頭的工作原理是基于磁阻效應(yīng)來工作的，其核心是一小片金屬材料,其電阻隨磁場變化而變化,雖然其變化率不足2%,但因?yàn)榇抛柙B著一個(gè)非常靈敏的放大器,所以可測出該微小的電阻變化。MR技術(shù)可使硬盤容量提高40%以上。GMR（GiantMagnetoresistive）巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，但是GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比MR磁頭更為敏感，相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，現(xiàn)有的MR磁頭能夠達(dá)到的盤片密度為3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁頭可以達(dá)到10Gbit－40Gbit/in2以上。目前GMR磁頭已經(jīng)處于成熟推廣期，在今后的數(shù)年中，它將會(huì)逐步取代MR磁頭，成為最流行的磁頭技術(shù)。
　　
　　　　緩存： 緩存是硬盤與外部總線交換數(shù)據(jù)的場所。硬盤的讀數(shù)據(jù)的過程是將磁信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，通過緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照PCI總線的周期送出，可見，緩存的作用是相當(dāng)重要的。在接口技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個(gè)相對(duì)成熟的階段的時(shí)候，緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤的傳輸速度的重要因素。目前主流硬盤的緩存主要有512KB和2MB等幾種。其類型一般是EDO DRAM或SDRAM，目前一般以SDRAM為主。根據(jù)寫入方式的不同，有寫通式和回寫式兩種。寫通式在讀硬盤數(shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)先檢查請(qǐng)求指令，看看所要的數(shù)據(jù)是否在緩存中，如果在的話就由緩存送出響應(yīng)的數(shù)據(jù)，這個(gè)過程稱為命中。這樣系統(tǒng)就不必訪問硬盤中的數(shù)據(jù)，由于SDRAM的速度比磁介質(zhì)快很多，因此也就加快了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣?。回寫式就是在寫入硬盤數(shù)據(jù)時(shí)也在緩存中找，如果找到就由緩存就數(shù)據(jù)寫入盤中，現(xiàn)在的多數(shù)硬盤都是采用的回寫式硬盤，這樣就大大提高了性能。
　　
　　　　連續(xù)無故障時(shí)間（MTBF）：指硬盤從開始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長時(shí)間。一般硬盤的MTBF至少在30000或40000小時(shí)。
　　
　　　　部分響應(yīng)完全匹配技術(shù)PRML(Partial Response Maximum Likelihood)：能使盤片存儲(chǔ)更多的信息，同時(shí)可以有效地提高數(shù)據(jù)的讀取和數(shù)據(jù)傳輸率。是當(dāng)前應(yīng)用于硬盤數(shù)據(jù)讀取通道中的先進(jìn)技術(shù)之一。PRML技術(shù)是將硬盤數(shù)據(jù)讀取電路分成兩段“*作流水線”，流水線第一段將磁頭讀取的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化處理然后只選取部分“標(biāo)準(zhǔn)”信號(hào)移交第二段繼續(xù)處理，第二段將所接收的信號(hào)與PRML芯片預(yù)置信號(hào)模型進(jìn)行對(duì)比，然后選取差異最小的信號(hào)進(jìn)行組合后輸出以完成數(shù)據(jù)的讀取過程。PRML技術(shù)可以降低硬盤讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率，因此可以進(jìn)一步提高磁盤數(shù)據(jù)密集度。
　　
　　　　單磁道時(shí)間（Single track seek time）：指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道所用的時(shí)間。
　　
　　　　超級(jí)數(shù)字信號(hào)處理器(Ultra DSP)技術(shù)：用Ultra DSP進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算，其速度較一般CPU快10到50倍。采用Ultra DSP技術(shù)，單個(gè)的DSP芯片可以同時(shí)提供處理器及驅(qū)動(dòng)接口的雙重功能，以減少其它電子元件的使用，可大幅度地提高硬盤的速度和可靠性。接口技術(shù)可以極大地提高硬盤的最大外部傳輸率，最大的益處在于可以把數(shù)據(jù)從硬盤直接傳輸?shù)街鲀?nèi)存而不占用更多的CPU資源，提高系統(tǒng)性能。
　　
　　　　硬盤表面溫度： 指硬盤工作時(shí)產(chǎn)生的溫度使硬盤密封殼溫度上升情況。硬盤工作時(shí)產(chǎn)生的溫度過高將影響薄膜式磁頭(包括MR磁頭)的數(shù)據(jù)讀取靈敏度，因此硬盤工作表面溫度較低的硬盤有更好的數(shù)據(jù)讀、寫穩(wěn)定性。
　　
　　　　全程訪問時(shí)間（Max full seek time）：指磁頭開始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間。
　　
　　　　接口技術(shù)：口技術(shù)可極大地提高硬盤的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率,現(xiàn)在普遍使用的ULTRAATA/66已大幅提高了E-IDE接口的性能,所謂UltraDMA66是指一種由Intel及Quantum公司設(shè)計(jì)的同步DMA協(xié)議。使用該技術(shù)的硬盤并配合相應(yīng)的芯片組，最大傳輸速度可以由16MB/s提高到66MS/s。它的最大優(yōu)點(diǎn)在于把CPU從大量的數(shù)據(jù)傳輸中解放出來了，可以把數(shù)據(jù)從HDD直接傳輸?shù)街鞔娑徽加酶嗟腃PU資源，從而在一定程度上提高了整個(gè)系統(tǒng)的性能。由于采用ULTRAATA技術(shù)的硬盤整體性能比普通硬盤可提高20%～60%,所以已成為目前E-IDE硬盤事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)。
　　
　　　　SCSI硬盤的接口技術(shù)也在迅速發(fā)展。Ultra160/mSCSI被引入硬盤世界，對(duì)硬盤在高計(jì)算量應(yīng)用領(lǐng)域的性能擴(kuò)展極有裨益，處理關(guān)鍵任務(wù)的服務(wù)器、圖形工作站、冗余磁盤陣列（RAID）等設(shè)備將因此得到性能提升。從技術(shù)發(fā)展看，Ultra160/mSCSI僅僅是硬盤接口發(fā)展道路上的一環(huán)而已，200MB的光纖技術(shù)也遠(yuǎn)未達(dá)到止境，未來的接口技術(shù)必將令今天的用戶瞠目結(jié)舌。
　　
　　　　光纖通道技術(shù)具有數(shù)據(jù)傳輸速率高、數(shù)據(jù)傳輸距離遠(yuǎn)以及可簡化大型存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。目前，光纖通道支持每秒200MB的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以在一個(gè)環(huán)路上容納多達(dá)127個(gè)驅(qū)動(dòng)器，局域電纜可在25米范圍內(nèi)運(yùn)行，遠(yuǎn)程電纜可在10公里范圍內(nèi)運(yùn)行。某些專門的存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域，例如小型存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（SAN）以及數(shù)碼視像應(yīng)用，往往需要高達(dá)每秒200MB的數(shù)據(jù)傳輸速率和強(qiáng)勁的聯(lián)網(wǎng)能力，光纖通道技術(shù)的推出正適應(yīng)了這一需求。同時(shí)，其超長的數(shù)據(jù)傳輸距離，大大方便了遠(yuǎn)程通信的技術(shù)實(shí)施。由于光纖通道技術(shù)的優(yōu)越性，支持光纖界面的硬盤產(chǎn)品開始在市場上出現(xiàn)。這些產(chǎn)品一般是大容量硬盤，平均尋道時(shí)間短，適應(yīng)于高速、高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用需求，將為中高端存儲(chǔ)應(yīng)用提供良好保證。
　　
　　　　IEEE1394：IEEE1394又稱為Firewire（火線）或P1394，它是一種高速串行總線，現(xiàn)有的IEEE1394標(biāo)準(zhǔn)支持100Mbps、200Mbps和400Mbps的傳輸速率，將來會(huì)達(dá)到800Mbps、1600Mbps、3200Mbps甚至更高，如此高的速率使得它可以作為硬盤、DVD、CD－ROM等大容量存儲(chǔ)設(shè)備的接口。IEEE1394將來有望取代現(xiàn)有的SCSI總線和IDE接口，但是由于成本較高和技術(shù)上還不夠成熟等原因，目前仍然只有少量使用IEEE1394接口的產(chǎn)品，硬盤就更少了。
　　
　　　　硬盤：英文“hard-disk”簡稱HD 。是一種儲(chǔ)存量巨大的設(shè)備，作用是儲(chǔ)存計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)需要的數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)的硬盤主要由碟片、磁頭、磁頭臂、磁頭臂服務(wù)定位系統(tǒng)和底層電路板、數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)以及接口等組成。 計(jì)算機(jī)硬盤的技術(shù)指標(biāo)主要圍繞在盤片大小、盤片多少、單碟容量、磁盤轉(zhuǎn)速、磁頭技術(shù)、服務(wù)定位系統(tǒng)、接口、二級(jí)緩存、噪音和S.M.A.R.T. 等參數(shù)上。
　　
　　　　碟片：硬盤的所有數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在碟片上，碟片是由硬質(zhì)合金組成的盤片，現(xiàn)在還出現(xiàn)了玻璃盤片。目前的硬盤產(chǎn)品內(nèi)部盤片大小有：5.25，3.5，2.5和1.8英寸（后兩種常用于筆記本及部分袖珍精密儀器中，現(xiàn)在臺(tái)式機(jī)中常用3.5英寸的盤片）。
　　
　　　　磁頭：硬盤的磁頭是用線圈纏繞在磁芯上制成的，最初的磁頭是讀寫合一的，通過電流變化去感應(yīng)信號(hào)的幅度。對(duì)于大多數(shù)計(jì)算機(jī)來說，在與硬盤交換數(shù)據(jù)的過程中，讀*作遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于寫*作，而且讀/寫是兩種不同特性的*作，這樣就促使硬盤廠商開發(fā)一種讀/寫分離磁頭。在1991年，IBM提出了它基于磁阻（MR）技術(shù)的讀磁頭技術(shù)――各項(xiàng)異性磁 ,磁頭在和旋轉(zhuǎn)的碟片相接觸過程中，通過感應(yīng)碟片上磁場的變化來讀取數(shù)據(jù)。在硬盤中，碟片的單碟容量和磁頭技術(shù)是相互制約、相互促進(jìn)的。
　　
　　　　AMR（Anisotropic Magneto Resistive，AMR）：一種磁頭技術(shù)，AMR技術(shù)可以支持3.3GB/平方英寸的記錄密度，在1997年AMR是當(dāng)時(shí)市場的主流技術(shù)。
　　
　　　　GMR（Giant Magneto Resistive，巨磁阻）：比AMR技術(shù)磁頭靈敏度高2倍以上，GMR磁頭是由4層導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu)成的：一個(gè)傳感層、一個(gè)非導(dǎo)電中介層、一個(gè)磁性的栓層和一個(gè)交換層。前3個(gè)層控制著磁頭的電阻。在栓層中，磁場強(qiáng)度是固定的,并且磁場方向被相臨的交換層所保持。而且自由層的磁場強(qiáng)度和方向則是隨著轉(zhuǎn)到磁頭下面的磁盤表面的微小磁化區(qū)所改變的，這種磁場強(qiáng)度和方向的變化導(dǎo)致明顯的磁頭電阻變化，在一個(gè)固定的信號(hào)電壓下面，就可以拾取供硬盤電路處理的信號(hào)。
　　
　　　　OAW（光學(xué)輔助溫式技術(shù)）：希捷正在開發(fā)的OAW是未來磁頭技術(shù)發(fā)展的方向，OAW技術(shù)可以在1英寸寬內(nèi)寫入105000以上的磁道，單碟容量有望突破36GB。單碟容量的提高不僅可以提高硬盤總?cè)萘俊⒔档推骄鶎さ罆r(shí)間，還可以降低成本、提高性能。
　　
　　　　PRML（局部響應(yīng)最大擬然，）：除了磁頭技術(shù)的日新月異之外，磁記錄技術(shù)也是影響硬盤性能非常關(guān)鍵的一個(gè)因素。當(dāng)磁記錄密度達(dá)到某一程度后，兩個(gè)信號(hào)之間相互干擾的現(xiàn)象就會(huì)非常嚴(yán)重。為了解決這一問題，人們?cè)谟脖P的設(shè)計(jì)中加入了PRML技術(shù)。PRML讀取通道方式可以簡單地分成兩個(gè)部分。首先是將磁頭從盤片上所讀取的信號(hào)加以數(shù)字化，并將未達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的信號(hào)加以舍棄，而沒有將信號(hào)輸出。這個(gè)部分便稱為局部響應(yīng)。最大擬然部分則是拿數(shù)字化后的信號(hào)模型與PRML芯片本身的信號(hào)模型庫加以對(duì)比，找出最接近、失真度最小的信號(hào)模型，再將這些信號(hào)重新組合而直接輸出數(shù)據(jù)。使用PRML方式，不需要像脈沖檢測方式那樣高的信號(hào)強(qiáng)度，也可以避開因?yàn)樾盘?hào)記錄太密集而產(chǎn)生的相互干擾的現(xiàn)象。 磁頭技術(shù)的進(jìn)步，再加上目前記錄材料技術(shù)和處理技術(shù)的發(fā)展，將使硬盤的存儲(chǔ)密度提升到每平方英寸10GB以上，這將意味著可以實(shí)現(xiàn)40GB或者更大的硬盤容量。
　　
　　　　間隔因子：硬盤磁道上相鄰的兩個(gè)邏輯扇區(qū)之間的物理扇區(qū)的數(shù)量。因?yàn)橛脖P上的信息是以扇區(qū)的形式來組織的，每個(gè)扇區(qū)都有一個(gè)號(hào)碼，存取*作要通過這個(gè)扇區(qū)號(hào)，所以使用一個(gè)特定的間隔因子來給扇區(qū)編號(hào)而有助于獲取最佳的數(shù)據(jù)傳輸率。
　　著陸區(qū)(LZ)：為使硬盤有一個(gè)起始位置，一般指定一個(gè)內(nèi)層柱面作為著陸區(qū)，它使硬盤磁頭在電源關(guān)閉之前停回原來的位置。著陸區(qū)不用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因些可避免磁頭在開、關(guān)電源期間緊急降落時(shí)所造成數(shù)據(jù)的損失。目前，一般的硬盤在電源關(guān)閉時(shí)會(huì)自動(dòng)將磁頭停在著陸區(qū)，而老式的硬盤需執(zhí)行PARK命令才能將磁頭歸位。
　　
　　　　反應(yīng)時(shí)間：指的是硬盤中的轉(zhuǎn)輪的工作情況。反應(yīng)時(shí)間是硬盤轉(zhuǎn)速的一個(gè)最直接的反應(yīng)指標(biāo)。5400RPM的硬盤擁有的是5.55 MS的反應(yīng)時(shí)間，而7200RPM的可以達(dá)到4.17 MS。反應(yīng)時(shí)間是硬盤將利用多長的時(shí)間完成第一次的轉(zhuǎn)輪旋轉(zhuǎn)。如果我們確定一個(gè)硬盤達(dá)到120周旋轉(zhuǎn)每秒的速度，那么旋轉(zhuǎn)一周的時(shí)間將是1/120即0.008333秒的時(shí)間。如果我們的硬盤是0.0041665秒每周的速度，我們也可以稱這塊硬盤的反應(yīng)時(shí)間是4.17 ms(1ms=1/1000每秒)。
　　
　　　　平均潛伏期（average latency）：指當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后，然后等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)（半圈或多些、少些）到磁頭下的時(shí)間，單位為毫秒（ms）。平均潛伏期是越小越好，潛伏期小代表硬盤的讀取數(shù)據(jù)的等待時(shí)間短，這就等于具有更高的硬盤數(shù)據(jù)傳輸率。
　　
　　　　道至道時(shí)間（single track seek）：指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道的時(shí)間，單位為毫秒（ms）。
　　
　　　　全程訪問時(shí)間（max full seek）：指磁頭開始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間，單位為毫秒（ms）。
　　
　　　　外部數(shù)據(jù)傳輸率：通稱突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率（burst data transfer rate）：指從硬盤緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，常以數(shù)據(jù)接口速率代替，單位為MB/S。目前主流硬盤普通采用的是Ultra ATA/66，它的最大外部數(shù)據(jù)率即為66.7MB/s，2000年推出的Ultra ATA/100，理論上最大外部數(shù)據(jù)率為100MB/s，但由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率的制約往往達(dá)不到這么高。
　　
　　　　主軸轉(zhuǎn)速：是指硬盤內(nèi)電機(jī)主軸的轉(zhuǎn)動(dòng)速度，目前ATA（IDE）硬盤的主軸轉(zhuǎn)速一般為5400-7200rpm，主流硬盤的轉(zhuǎn)速為7200RPM，至于SCSI硬盤的主軸轉(zhuǎn)速可達(dá)一般為7200-10，000RPM，而最高轉(zhuǎn)速的SCSI硬盤轉(zhuǎn)速高達(dá)15，000RPM。
　　
　　　　數(shù)據(jù)緩存：指在硬盤內(nèi)部的高速存儲(chǔ)器，在電腦中就象一塊緩沖器一樣將一些數(shù)據(jù)暫時(shí)性的保存起來以供讀取和再讀取。目前硬盤的高速緩存一般為512KB-2MB，目前主流ATA硬盤的數(shù)據(jù)緩存為2MB，而在SCSI硬盤中最高的數(shù)據(jù)緩存現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了16MB。對(duì)于大數(shù)據(jù)緩存的硬盤在存取零散文件時(shí)具有很大的優(yōu)勢(shì)。
　　
　　　　硬盤表面溫度：它是指硬盤工作時(shí)產(chǎn)生的溫度使硬盤密封殼溫度上升情況。硬盤工作時(shí)產(chǎn)生的溫度過高將影響磁頭的數(shù)據(jù)讀取靈敏度，因此硬盤工作表面溫度較低的硬盤有更好的數(shù)據(jù)讀、寫穩(wěn)定性。
　　
　　　　MTBF（連續(xù)無故障時(shí)間）：它指硬盤從開始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長時(shí)間，單位是小時(shí)。一般硬盤的MTBF至少在30000或40000小時(shí)。
　　 S.M.A.R.T.（自監(jiān)測、分析、報(bào)告技術(shù)）：這是現(xiàn)在硬盤普遍采用的數(shù)據(jù)安全技術(shù)，在硬盤工作的時(shí)候監(jiān)測系統(tǒng)對(duì)電機(jī)、電路、磁盤、磁頭的狀態(tài)進(jìn)行分析，當(dāng)有異常發(fā)生的時(shí)候就會(huì)發(fā)出警告，有的還會(huì)自動(dòng)降速并備份數(shù)據(jù)。
　　
　　　　DPS（數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)）：昆騰在火球八代硬盤中首次內(nèi)建了DPS，在硬盤的前300MB內(nèi)存放*作系統(tǒng)等重要信息，DPS可在系統(tǒng)出現(xiàn)問題后的90秒內(nèi)自動(dòng)檢測恢復(fù)系統(tǒng)數(shù)據(jù)，若不行則用DPS軟盤啟動(dòng)后它會(huì)自動(dòng)分析故障，盡量保證數(shù)據(jù)不丟失。
　　
　　　　數(shù)據(jù)衛(wèi)士：是西部數(shù)據(jù)（WD）特有的硬盤數(shù)據(jù)安全技術(shù)，此技術(shù)可在硬盤工作的空余時(shí)間里自動(dòng)每8個(gè)小時(shí)自動(dòng)掃描、檢測、修復(fù)盤片的各扇區(qū)。
　　
　　　　MaxSafe：是邁拓在金鉆二代上應(yīng)用的技術(shù)，它的核心是將附加的ECC校驗(yàn)位保存在硬盤上，使讀寫過程都經(jīng)過校驗(yàn)以保證數(shù)據(jù)的完整性。
　　
　　　　DST：驅(qū)動(dòng)器自我檢測技術(shù)，是希捷公司在自己硬盤中采用的數(shù)據(jù)安全技術(shù)，此技術(shù)可保證保存在硬盤中數(shù)據(jù)的安全性。
　　
　　　　DFT：驅(qū)動(dòng)器健康檢測技術(shù)，是IBM公司在自己硬盤中采用的數(shù)據(jù)安全技術(shù)，此技術(shù)同以上幾種技術(shù)一樣可極大的提高數(shù)據(jù)的安全性。
　　
　　　　噪音與防震技術(shù)：硬盤主軸高速旋轉(zhuǎn)時(shí)不可避免的產(chǎn)生噪音，并會(huì)因金屬磨擦而產(chǎn)生磨損和發(fā)熱問題，“液態(tài)軸承馬達(dá)”就可以解決這一問題。它使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠，可有效地降低以上問題。同時(shí)液油軸承也可有效地吸收震動(dòng)，使硬盤的抗震能力由一般的一二百個(gè)G提高到了一千多G，因此硬盤的壽命與可靠性也可以得到提高。昆騰在火球七代（EX）系列之后的硬盤都應(yīng)用了SPS震動(dòng)保護(hù)系統(tǒng)；邁拓在金鉆二代上應(yīng)用了ShockBlock防震保護(hù)系統(tǒng)，他們的目的都是分散沖擊能量，盡量避免磁頭和盤片的撞擊；希捷的金牌系列硬盤中SeaShield系統(tǒng)是用減震材料制成的保護(hù)軟罩外加磁頭臂與盤片間的防震設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)的。
　　
　　　　ST-506/412接口：這是希捷開發(fā)的一種硬盤接口，首先使用這種接口的硬盤為希捷的ST－506及ST－412。ST－506接口使用起來相當(dāng)簡便，它不需要任何特殊的電纜及接頭，但是它支持的傳輸速度很低，因此到了1987年左右這種接口就基本上被淘汰了，采用該接口的老硬盤容量多數(shù)都低于200MB。早期IBM PC/XT和PC/AT機(jī)器使用的硬盤就是ST－506/412硬盤或稱MFM硬盤-MFM（Modified Frequency Modulation）是指一種編碼方案。
　　
　　　　ESDI接口：即（Enhanced Small Drive Interface）接口，它是邁拓公司于1983年開發(fā)的。其特點(diǎn)是將編解碼器放在硬盤本身之中，而不是在控制卡上，理論傳輸速度是前面所述的ST-506的2…4倍，一般可達(dá)到10Mbps。但其成本較高，與后來產(chǎn)生的IDE接口相比無優(yōu)勢(shì)可言，因此在九十年代后就被淘汰了。
　　
　　　　IDE及EIDE接口：IDE（Integrated Drive Electronics）的本意實(shí)際上是指把控制器與盤體集成在一起的硬盤驅(qū)動(dòng)器，我們常說的IDE接口，也叫ATA（Advanced Technology Attachment）接口，現(xiàn)在PC機(jī)使用的硬盤大多數(shù)都是IDE兼容的，只需用一根電纜將它們與主板或接口卡連起來就可以了。把盤體與控制器集成在一起的做法減少了硬盤接口的電纜數(shù)目與長度，數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃缘玫搅嗽鰪?qiáng)，硬盤制造起來變得更容易，因?yàn)閺S商不需要再擔(dān)心自己的硬盤是否與其它廠商生產(chǎn)的控制器兼容，對(duì)用戶而言，硬盤安裝起來也更為方便。
　　
　　　　ATA-1(IDE)：ATA是最早的IDE標(biāo)準(zhǔn)的正式名稱，IDE實(shí)際上是指連在硬盤接口的硬盤本身。ATA在主板上有一個(gè)插口，支持一個(gè)主設(shè)備和一個(gè)從設(shè)備，每個(gè)設(shè)備的最大容量為504MB，ATA最早支持的PIO-0模式（Programmed I/O-0）只有3.3MB/s，而ATA-1一共規(guī)定了3種PIO模式和4種DMA模式（沒有得到實(shí)際應(yīng)用），要升級(jí)為ATA-2，需要安裝一個(gè)EIDE適配卡。
　　
　　　　ATA-2　（EIDE Enhanced IDE/Fast ATA）：這是對(duì)ATA-1的擴(kuò)展，它增加了2種PIO和2種DMA模式，把最高傳輸率提高到了16.7MB/s，同時(shí)引進(jìn)了LBA地址轉(zhuǎn)換方式，突破了老BIOS固有504MB的限制，支持最高可達(dá)8.1GB的硬盤。如你的電腦支持ATA-2，則可以在CMOS設(shè)置中找到（LBA，LogicalBlock Address）或（CHS，Cylinder,Head,Sector）的設(shè)置。其兩個(gè)插口分別可以連接一個(gè)主設(shè)備和一個(gè)從設(shè)置，從而可以支持四個(gè)設(shè)備，兩個(gè)插口也分為主插口和從插口。通常可將最快的硬盤和CD-ROM放置在主插口上，而將次要一些的設(shè)備放在從插口上，這種放置方式對(duì)于486及早期的Pentium電腦是必要的，這樣可以使主插口連在快速的PCI總線上，而從插口連在較慢的ISA總線上。

三、內(nèi)存術(shù)語解釋
　　　　BANK：BANK是指內(nèi)存插槽的計(jì)算單位(也有人稱為記憶庫)，它是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與內(nèi)存間資料匯流的基本運(yùn)作單位。
　　
　　　　內(nèi)存的速度：內(nèi)存的速度是以每筆CPU與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費(fèi)的時(shí)間來計(jì)算，為總線循環(huán)(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。
　　
　　　　內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片，但近來系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC 的主機(jī)板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)的數(shù)量和個(gè)別芯片(chips)的容量，是決定內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)的主要因素。
　　
　　　　SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數(shù)目不等的記憶IC，可分為以下2種型態(tài)：
　　
　　　　 　72PIN：72腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持32位的數(shù)據(jù)處理量。
　　
　　　　 　30PIN：30腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持8位的數(shù)據(jù)處理量。
　　
　　　　DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN） 用來支持64位或是更寬的總線，而且只用3.3伏特的電壓，通常用在64位的桌上型計(jì)算機(jī)或是服務(wù)器。
　　
　　　　RIMM：RIMM模塊是下一世代的內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片組所支持的內(nèi)存模塊，其頻寬高達(dá)1.6Gbyte/sec。
　　
　　　　SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）： 這是一種改良型的DIMM模塊，比一般的DIMM模塊來得小，應(yīng)用于筆記型計(jì)算機(jī)、列表機(jī)、傳真機(jī)或是各種終端機(jī)等。
　　
　　　　PLL： 為鎖相回路,用來統(tǒng)一整合時(shí)脈訊號(hào),使內(nèi)存能正確的存取資料。
　　
　　　　Rambus 內(nèi)存模塊 （184PIN）： 采用Direct RDRAM的內(nèi)存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料的輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用的DIMM模塊168pin，并列輸出的架構(gòu)有很大的差異。
　　
　　　　6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board用6層或4層的玻璃纖維做成，通常SDRAM會(huì)使用6層板，雖然會(huì)增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾，而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。
　　
　　　　Register：是緩存器的意思,其功能是能夠在高速下達(dá)到同步的目的。
　　
　　　　SPD：為Serial Presence Detect 的縮寫，它是燒錄在EEPROM內(nèi)的碼，以往開機(jī)時(shí)BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測的動(dòng)作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內(nèi)存的相關(guān)資料。
　　
　　　　Parity和ECC的比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯(cuò)碼(error detection codes)上，他們?cè)黾右粋€(gè)檢查位給每個(gè)資料的字元(或字節(jié))，并且能夠偵測到一個(gè)字符中所有奇(偶)同位的錯(cuò)誤，但Parity有一個(gè)缺點(diǎn)，當(dāng)計(jì)算機(jī)查到某個(gè)Byte有錯(cuò)誤時(shí)，并不能確定錯(cuò)誤在哪一個(gè)位，也就無法修正錯(cuò)誤。
　　
　　　　緩沖器和無緩沖器（Buffer V.S. Unbuffer）：有緩沖器的DIMM 是用來改善時(shí)序(timing)問題的一種方法無緩沖器的DIMM雖然可被設(shè)計(jì)用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM。若將無緩沖器的DIMM用于速度為100Mhz的主機(jī)板上的話，將會(huì)有存取不良的影響。而有緩沖器的DIMM則可使用四條以上的內(nèi)存，但是若使用的緩沖器速度不夠快的話會(huì)影響其執(zhí)行效果。換言之，有緩沖器的DIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多DIMM的使用。
　　
　　　　自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內(nèi)部具有獨(dú)立且內(nèi)建的充電電路于一定時(shí)間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計(jì)算機(jī)或可攜式計(jì)算機(jī)等的省電需求高的計(jì)算機(jī)。
　　
　　　　預(yù)充電時(shí)間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。例如CL=3，表示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)自主存儲(chǔ)器讀取第一筆資料時(shí)，所需的準(zhǔn)備時(shí)間為3個(gè)外部時(shí)脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準(zhǔn)備時(shí)間，相差一個(gè)時(shí)脈，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效能并無顯著影響。
　　
　　　　時(shí)鐘信號(hào) (Clock)：時(shí)鐘信號(hào)是提供給同步內(nèi)存做訊號(hào)同步之用，同步記憶體的存取動(dòng)作必需與時(shí)鐘信號(hào)同步。
　　
　　　　電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合會(huì)議 (JEDEC)：JEDEC大部分是由從事設(shè)計(jì)、發(fā)明的制造業(yè)尤以有關(guān)計(jì)算機(jī)記憶模塊所組成的一個(gè)團(tuán)體財(cái)團(tuán)，一般工業(yè)所生產(chǎn)的記憶體產(chǎn)品大多以JEDEC所制定的標(biāo)準(zhǔn)為評(píng)量。
　　
　　　　只讀存儲(chǔ)器ROM (Read Only Memory)：ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記燱體，因?yàn)檫@個(gè)特所以最常見的就是主機(jī)板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System)因?yàn)锽ISO是計(jì)算機(jī)開機(jī)必備的基本硬件設(shè)定用來與外圍做為低階通信接口，所以BISO之程式燒錄于ROM中以避免隨意被清除資料。
　　
　　　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：為一種將資料寫入后即使在電源關(guān)閉的情況下，也可以保留一段相當(dāng)長的時(shí)間，且寫入資料時(shí)不需要另外提高電壓，只要寫入某一些句柄，就可以把資料寫入內(nèi)存中了。
　　
　　　　EPROM (Erasable Programmable ROM)：為一種可以透過紫外線的照射將其內(nèi)部的資料清除掉之后，再用燒錄器之類的設(shè)備將資料燒錄進(jìn) EPROM內(nèi)，優(yōu)點(diǎn)為可以重復(fù)的燒錄資料。
　　
　　　　程序規(guī)畫的只讀存儲(chǔ)器 (PROM)：是一種可存程序的內(nèi)存，因?yàn)橹荒軐懸淮钨Y料，所以它一旦被寫入資料若有錯(cuò)誤，是無法改變的且無法再存其它資料，所以只要寫錯(cuò)資料這顆內(nèi)存就無法回收重新使用。
　　
　　　　MASK ROM：是制造商為了要大量生產(chǎn)，事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本，然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM，這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠(yuǎn)無法做修改。
　　
　　　　隨機(jī)存取內(nèi)存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被讀取和寫入的內(nèi)存，我們?cè)趯戀Y料到RAM記憶體時(shí)也同時(shí)可從RAM讀取資料，這和ROM內(nèi)存有所不同。但是RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在RAM里頭的資料將隨之消失。
　　
　　　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的縮寫，通常是計(jì)算機(jī)內(nèi)的主存儲(chǔ)器，它是而用電容來做儲(chǔ)存動(dòng)作，但因電容本身有漏電問題，所以內(nèi)存內(nèi)的資料須持續(xù)地存取不然
　　資料會(huì)不見。
　　
　　　　FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多數(shù)為72IPN或30PIN的模塊，F(xiàn)PM 將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages，從512 bite 到數(shù) Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新讀取時(shí)，就可讀取各page內(nèi)的資
　　料。
　　
　　　　EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比傳統(tǒng)DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般為72PIN、168PIN的模塊。
　　
　　　　SDRAM：Synchronous DRAM 是一種新的DRAM架構(gòu)的技術(shù)；它運(yùn)用晶片內(nèi)的clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。所謂clock同步是指記憶體時(shí)脈與CPU的時(shí)脈能同步存取資料。SDRAM節(jié)省執(zhí)行指令及數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)間，故可提升計(jì)算機(jī)效率。
　　
　　　　DDR：DDR 是一種更高速的同步內(nèi)存，DDR SDRAM為168PIN的DIMM模塊，它比SDRAM的傳輸速率更快， DDR的設(shè)計(jì)是應(yīng)用在服務(wù)器、工作站及數(shù)據(jù)傳輸?shù)容^高速需求之系統(tǒng)。
　　
　　　　DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標(biāo)準(zhǔn)。DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。
　　
　　　　DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一，由Rambus 公司所設(shè)計(jì)發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結(jié)到一個(gè)共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
　　
　　　　RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司獨(dú)立設(shè)計(jì)完成，它的速度約一般DRAM的10倍以上，雖有這樣強(qiáng)的效能，但使用后內(nèi)存控制器需要相當(dāng)大的改變，所以目前這一類的內(nèi)存大多使用在游戲機(jī)器或者專業(yè)的圖形加速適配卡上。
　　
　　　　VRAM (Video RAM)：與最大的不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時(shí)一邊讀入，一邊輸出資料。
　　
　　　　WRAM (Window RAM)：屬于VRAM的改良版，其不同之處在于其控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式。
　　
　　　　MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的內(nèi)部分成數(shù)個(gè)各別不同的小儲(chǔ)存庫 (BANK)，也就是數(shù)個(gè)屬立的小單位矩陣所構(gòu)成。每個(gè)儲(chǔ)存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，其應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中。
　　
　　　　靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定。所謂靜態(tài)的意義是指內(nèi)存資料可以常駐而不須隨時(shí)存取。因?yàn)榇朔N特性，靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存通常被用來做高速緩存。
　　
　　　　Async SRAM：為異步SRAM這是一種較為舊型的SRAM，通常被用于電腦上的 Level 2 Cache上，它在運(yùn)作時(shí)獨(dú)立于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)時(shí)脈外。
　　
　　　　Sync SRAM：為同步SRAM，它的工作時(shí)脈與系統(tǒng)是同步的。
　　
　　　　SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以區(qū)塊Block為單位，個(gè)別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)增加繪圖控制器。
　　
　　　　高速緩存 (Cache Ram)：為一種高速度的內(nèi)存是被設(shè)計(jì)用來處理運(yùn)作CPU。快取記憶體是利用 SRAM 的顆粒來做內(nèi)存。因連接方式不同可分為一是外接方式(External)另一種為內(nèi)接方式(Internal)。外接方式是將內(nèi)存放在主機(jī)板上也稱為Level 1 Cache而內(nèi)接方式是將內(nèi)存放在CPU中稱為Level 2 Cache。 [http://wllife.cn]
　　
　　　　PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一種標(biāo)準(zhǔn)的卡片型擴(kuò)充接口，多半用于筆記型計(jì)算機(jī)上或是其它外圍產(chǎn)品，其種類可以分為：
　　
　　　　　　Type 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的記憶卡以及最近打印機(jī)所使用的DRAM記憶卡。
　　　　　　Type 2：5.5mm的厚度，通常設(shè)計(jì)為筆記計(jì)算機(jī)所使用的調(diào)制解調(diào)器接口(Modem)。
　　　　　　Type 3：10.5mm的厚度，被運(yùn)用為連接硬盤的ATA接口。
　　　　　　Type 4：小型的PCMCIA卡，大部用于數(shù)字相機(jī)。
　　
　　　　FLASH：Flash內(nèi)存比較像是一種儲(chǔ)存裝置，因?yàn)楫?dāng)電源關(guān)掉后儲(chǔ)存在Flash內(nèi)存中的資料并不會(huì)流失掉，在寫入資料時(shí)必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點(diǎn)為寫入資料的速度太慢。
　　
　　　　重新標(biāo)示過的內(nèi)存模塊（Remark Memory Module）：在內(nèi)存市場許多商家都會(huì)販?zhǔn)壑匦聵?biāo)示過的內(nèi)存模塊，所謂重新標(biāo)示過的內(nèi)存模塊就是將芯片Chip上的標(biāo)示變更過，使其所顯示出錯(cuò)誤的訊息以提供商家賺取更多的利潤。一般說來，業(yè)者會(huì)標(biāo)示成較快的速度將( -7改成-6)或?qū)]有廠牌的改為有廠牌的。要避免購買到這方面的產(chǎn)品，最佳的方法就是向好聲譽(yù)的供貨商來購買頂級(jí)芯片制造商產(chǎn)品。
　　
　　　　內(nèi)存的充電 (Refresh)：主存儲(chǔ)器是DRAM組合而成，其電容需不斷充電以保持資料的正確。一般有2K與4K Refresh的分類，而2K比4K有較快速的Refresh但2K比4K耗電。

四、光驅(qū)術(shù)語解釋
　　　　CLV技術(shù)：（Constant-Linear-Velocity）恒定線速度讀取方式。在低于12倍速的光驅(qū)中使用的技術(shù)。它是為了保持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸率不變，而隨時(shí)改變旋轉(zhuǎn)光盤的速度。讀取內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)速度比外部要快許多。
　　
　　　　C***技術(shù)：（Constant-Angular-Velocity）恒定角速度讀取方式。它是用同樣的速度來讀取光盤上的數(shù)據(jù)。但光盤上的內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)比外沿?cái)?shù)據(jù)傳輸速度要低，越往外越能體現(xiàn)光驅(qū)的速度，倍速指的是最高數(shù)據(jù)傳輸率。
　　
　　　　PC***技術(shù)：（Partial-C***）區(qū)域恒定角速度讀取方式。是融合了CLV和C***的一種新技術(shù)，它是在讀取外沿?cái)?shù)據(jù)采用C***技術(shù)，在讀取內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)采用C***技術(shù)，提高整體數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣取?
　　
　　　　UDMA模式：（Ultra-DMA/33），1996年由Intdl和Quantum制定的一種數(shù)據(jù)傳輸方式，該方式I/O系統(tǒng)的突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)33MB/s，還可以降低I/O系統(tǒng)對(duì)CPU資源的占用率?，F(xiàn)在又出現(xiàn)了UDMA/66，速度多出兩倍。
　　
　　　　PIOM模式：（PIO-Mode）以前普遍采用的數(shù)據(jù)傳輸模式，每個(gè)*作都要經(jīng)過CPU才可完成，占用CPU的大量資源。
　　
　　　　SCIC接口：（Small-Computer-Sysem-Interface）是一種新型的外部接口，可驅(qū)動(dòng)多個(gè)外部設(shè)備；數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)40MB，以后將成為外部接口的標(biāo)準(zhǔn)，價(jià)格昂貴。但占用CPU資源少，工作穩(wěn)定。
　　
　　　　IDE接口：（Integrated-Drive-Electronics）是現(xiàn)在普遍使用的外部接口，主要接硬盤和光驅(qū)。采用16位數(shù)據(jù)并行傳送方式，體積小，數(shù)據(jù)傳輸快。一個(gè)IDE接口只能接兩個(gè)外部設(shè)備。
　　
　　　　倍速： 指的是光驅(qū)數(shù)據(jù)傳輸率，國際電子工業(yè)聯(lián)合會(huì)把150KB/s的數(shù)據(jù)傳輸率定為單倍速光驅(qū)。300KB/s的數(shù)據(jù)傳輸率也就是雙倍速。依次計(jì)算得出。
　　
　　　　數(shù)據(jù)傳輸率：（data-transfer-rate）是指光驅(qū)每秒中在光盤上可讀取多少千字節(jié)（kilobytes）的資料量，直接決定了光驅(qū)運(yùn)行速度。單倍速光驅(qū)的數(shù)據(jù)傳輸率是150KB/s。
　　
　　　　平均讀取時(shí)間：（Average-Seek-Time）是指激光頭移動(dòng)定位到指定的預(yù)讀取數(shù)據(jù)（這時(shí)間為rotation-latency）后，開始讀取數(shù)據(jù)，之后到將數(shù)據(jù)傳輸至電路上所需的時(shí)間。它也是光驅(qū)速度的一重要指標(biāo)。
　　
　　　　緩存容量：它提供一個(gè)數(shù)據(jù)緩沖，先將讀出的數(shù)據(jù)暫存起來，然后進(jìn)行一次性傳送。解決與其它設(shè)備的速度匹配差距。
　　
　　　　激光頭：它由中心往外移動(dòng)在Table-of-Contents區(qū)域，通過發(fā)射激光來尋找光盤上的指定位置，感應(yīng)電阻接受到反射出的信號(hào)輸出成電子數(shù)據(jù)
　　
　　　　CD：（Compact-Disc）光盤。CD是由liad-in（資料開始記錄的位置）；而后是Table-of-Contents區(qū)域，由內(nèi)及外記錄資料；在記錄之后加上一個(gè)lead-out的資料軌結(jié)束記錄的標(biāo)記。在CD光盤，模擬數(shù)據(jù)通過大型刻錄機(jī)在CD上面刻出許多連肉眼都看不見的小坑。
　　
　　　　CD-DA：（CD-Audio）用來儲(chǔ)存數(shù)位音效的光蝶片。1982年SONY、Philips所共同制定紅皮書標(biāo)準(zhǔn)，以音軌方式儲(chǔ)存聲音資料。CD-ROM都兼容此規(guī)格音樂片的能力。
　　
　　　　CD-G：（Compact-Disc-Graphics）CD-DA基礎(chǔ)上加入圖形成為另一格式，但未能推廣。是對(duì)多媒體電腦的一次嘗試。
　　
　　　　CD-ROM：（Compact-Disc-Read-Only-Memory）只讀光盤機(jī)。1986年， SONY、Philips一起制定的黃皮書標(biāo)準(zhǔn)，定義檔案資料格式。定義了用于電腦數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的MODE1和用于壓縮視頻圖象存儲(chǔ)的MODE2兩類型，使CD成為通用的儲(chǔ)存介質(zhì)。并加上偵錯(cuò)碼及更正碼等位元，以確保電腦資料能夠完整讀取無誤。
　　
　　　　CD-PLUS：1994年，Microsoft公布了新的增強(qiáng)的CD的標(biāo)準(zhǔn)，又稱為CD-Elure。它是將CD-Audio音效放在CD的第一軌，而后放資料檔案，如此一來CD只會(huì)讀到前面的音軌，不會(huì)讀到資料軌，達(dá)到電腦與音響兩用的好處。
　　
　　　　CD-ROM XA：（CD-ROM-eXtended-Architecture）1989年,SONY、Philips、Micuosoft對(duì)CD-ROM標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)充形成的白皮書標(biāo)準(zhǔn)。又分為FORM1、FORM2兩種和一種增強(qiáng)型CD標(biāo)準(zhǔn)CD+。
　　
　　　　VCD：（Video-CD）激光視盤。SONY、Philips、JVC、Matsush*ta等共同制定，屬白皮書標(biāo)準(zhǔn)。是指全動(dòng)態(tài)、全屏播放的激光影視光盤。
　　
　　　　CD-I：（Compact-Disc-Interactive）年，是Philips、SONY共同制定的綠皮書標(biāo)準(zhǔn)。是互動(dòng)式光盤系統(tǒng)。1992年實(shí)現(xiàn)全動(dòng)態(tài)視頻圖像播放
　　
　　　　Photo-CD: 1989年，KODAK公司推出相片光盤的橘皮書標(biāo)準(zhǔn)，可存100張具有五種格式的高分辨率照片?？杉由舷鄳?yīng)的解說詞和背景音樂或插曲，成為有聲電子圖片集。
　　
　　　　CD-R：（Compact-Disc-Recordable）1990年，Philips發(fā)表多段式一次性寫入光盤數(shù)據(jù)格式。屬于橘皮書標(biāo)準(zhǔn)。在光盤上加一層可一次性記錄的染色層，可通進(jìn)行刻錄。[wllife.cn]
　　
　　　　CD-RW：在光盤上加一層可改寫的染色層，通過激光可在光盤上反復(fù)多次寫入數(shù)據(jù)。
　　
　　　　SDCD：（Super-Density-CD）是東芝(TOSHIBA)、日立(Hitachi)、先鋒、松下(Panasonic)、JVC、湯姆森(Thomson)、三菱、Timewamer等制訂一種超密度光盤規(guī)范。雙面提供5GB的儲(chǔ)存量，數(shù)據(jù)壓縮比不高
　　
　　　　MMCD：（Multi-Mdeia-CD）是由SONY、Philips等制定的多媒體光盤，單面提供3.7GB儲(chǔ)存量，數(shù)據(jù)壓縮比較高。
　　
　　　　HD-CD：（High-Density-CD）高密度光盤。容量大。單面容量4.7GB，雙面容量高達(dá)9.4GB，有的達(dá)到7GB。HD-CD光盤采用MPEG-2標(biāo)準(zhǔn)。
　　
　　　　MPEG-2： 1994年，ISO/IEC組織制定的運(yùn)動(dòng)圖像及其聲音編碼標(biāo)準(zhǔn)。針對(duì)廣播級(jí)的圖像和立體聲信號(hào)的壓縮和解壓縮。
　　
　　　　DVD：（Digital-Versatile-Disk）數(shù)字多用光盤，以MPEG-2為標(biāo)準(zhǔn)，擁有4.7G的大容量，可儲(chǔ)存133分鐘的高分辨率全動(dòng)態(tài)影視節(jié)目，包括個(gè)杜比數(shù)字環(huán)繞聲音軌道，圖像和聲音質(zhì)量是VCD所不及的。
　　
　　　　DVD+RW：可反復(fù)寫入的DVD光盤，又叫DVD-E。由HP、SONY、Phioips共同發(fā)布的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。容量為3.0GB，采用C***技術(shù)來獲得較高的數(shù)據(jù)傳輸率
　　
　　　　PD光驅(qū)：（PowerDisk2）是Panasonic公司將可寫光驅(qū)和CD-ROM合二為一，有LF-1000（外置式）和LF-1004（內(nèi)置式）兩種類型。容量為65OMB，數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)5.0MB/s，采用微型激光頭和精密機(jī)電伺服系統(tǒng)。
　　
　　　　ABS平衡系統(tǒng)：（Auto-Balance-System）是DIAMOND-DATA最新推出的三菱鉆石系列高倍速光驅(qū)所配帶的，是在光驅(qū)托盤下安上一具鋼銖軸承，光驅(qū)震動(dòng)時(shí)，鋼珠在離心力的作用下到質(zhì)量輕的部分，起到平衡作用，加大讀盤能力。
　　
　　　　部分安裝：（Partial-Installation）在安裝軟體時(shí)，只安裝一些必須或基本的檔案，當(dāng)執(zhí)行特殊的功能時(shí)，再讀取或執(zhí)行光盤中的檔案，這樣系統(tǒng)便可配合一具有高速度、高效能和高穩(wěn)定的光驅(qū)，達(dá)到最佳效能
　　
　　　　DVD-RAM：DVD論壇協(xié)會(huì)確立和公布的一項(xiàng)商務(wù)可讀寫DVD標(biāo)準(zhǔn)。它容量大而價(jià)格低、速度不慢且兼容性高。